1980年左右，中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机，于1981年研制成功两台样机。
而由于美国在50年代就已经拥有了接触式光刻机，相比之下，中国落后了将近20年，同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻，此时中国科学界也认识到，分布投影光刻技术的优越性，但限于国内工业技术差难以实现。
在1978年世界上第1台DSW光刻机问世不久，机电部第45所，就开始跟踪研究分步式光刻机，对标美国的4800DSW，1985年研制出了BG-101分部光刻机样机，并通过电子部技术鉴定，认为达到了美国同类产品水平，而当时采用的是436纳米G线光源。
这也就意味着1985年的时候，中国在高科技领域与国外的差距拉近到了7年左右，也就是达到了美国1978年的水平。
可以看出国产光刻机。研发在上世纪70年代后期起不直到80年代，后期技术一直在推进，并且取得了一定的代表性成果。
然而到了80年代中后期，中国却因为技术封锁以及买办思想盛行，造成了光刻机的落后。
当时的巴统协议不批准向中国出售先进的设备，国外工艺线已用0.5微米的设备时，却只对我国出口1.5微米的设备，整整差了三代，此外8组还规定对我国出口的光刻机镜头na必须小于0.17，既只能有二微米以上的分辨率。
所以说目前段云从日本东芝引进的三微米芯片制程生产线，是正好符合巴统协议要求的，而目前日本最先进的0.9微米制程的芯片生产线，是巴统协议严格禁止对中国出口的。
段云如果想制作出一微米制程的芯片，目前是不可能从国外直接买到现成设备的，只能靠国内研发。
因为买办思想的盛行，当时中国的光刻机虽然技术领先，但是也遇到很多的问题，因为搞研发就需要有很多的资金投入，但这些资金投入之后，有一些技术上的问题，在当时又不能够很好的解决，因此看到国外很多先进的设备之后，国家也就放弃了，对设备的研发变成了购买。
这样最终就导致了中国的光刻机研发上完全停滞，很多搞光刻机研发公司因为没有资金的支持就变得岌岌可危，最后公司也倒闭破产。
段云如果想制作出世界领先的NAND闪存芯片，并且在闪存芯片领域保持长期的优势地位，那就必须要有更先进的光刻机。
在摩尔定律下，每18个月集成
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