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第0192章 第三代半导体材料(1/4)

作品:科学大佬的文艺生活作者:东小林
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更强大、效率更高的毫米波相控系统,可将信号分配至有更高宽带需求的区域,为基站设备供应商最大限度地降低系统成本。”

“而美国宾夕法利亚州萨克森堡的II-IV公司和日本的住友电工展开战略合作,建立垂直整合的75mm晶圆制造平台,制造用于5G无线网络的GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管器件。”

“日本住友电工可是目前国际上面相5G大功率应用中,市场份额最大的公司,也是国内华为在5G低频大功率应用最大的供应商,尤其是在工作电源50V、输出功率大于300W的功率管方面,有着先进的工艺及优越的性能。”

“还有罗姆半导体在原有的产品基础上推出了新型号的汽车级SiC MOSFET,已形成业界最大的符合AEC-Q101标准的汽车级SiC MOSFET产品系列,为汽车车载充电器和DC/DC转换器提供高可靠性、高耐压性、低损耗的功率器件,推动电动汽车向环保和低耗的方向发展。”

“日本的富士通,荷兰的恩智浦,瑞士的意法半导体,德国的英飞凌等公司在第三代半导体上都有着极强的商业优势。”

慕景池听着彭孝杰侃侃而谈,他虽然是搞材料的,但这方面的知识几乎完全没有,此时听着也是很认真。

彭孝杰说起自己专业方面的知识和商业市场,稳重而不张扬,也没有什么对国外的敬仰之情,语气间有一种我们也能做到的气魄。

“目前,全球的第三代半导体电力电子产业格局是美国领跑、日本和欧洲紧随的态势,美国在全球SiC产业占有绝对优势,GaN领域也具有较为完整的产业链,产业链上下游均具备相应基础。”

“欧洲方面SiC产业链完整,技术上具有较大优势;日本在GaN和SiC衬底的外延、器件制备和应用方面均已达到世界领先水平。”

“我们当然也不差,华夏电科第十三研究所和五十五研究所建成了国际一流的芯片设计和加工平台,在SiC大功率器件、GaN高效率大功率以及GaN毫米波芯片领域,其技术实力已经占据世界领先地位。”

“西安电子科技大学和中科院微电子研究所在外延材料生长、器件工艺以及芯片设计方面都形成了完整的技术体系。”

“等等还有许多。。。”

说起后面这些,彭孝杰也是深深的自豪。


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