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第1680章 偃旗息鼓?

作品:学霸的军工科研系统作者:十月廿二
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我结果,直接点。”

多尼伦理解地点点头,语速加快:“首先,出现在报道背景中的那台光刻设备,经过图像增强和特征比对,高度确认其型号标识为‘ArF-1800’。这应该是华夏本土企业,如您所知的上沪微电子集团,在原有ArF浸没式光刻技术平台上的迭代升级型号。”

“迭代升级……”奥观海眉头紧锁,他对这些专业设备型号的记忆并不深刻,“不是EUV?”

多尼伦摇摇头,解释道,“虽然其核心曝光机柜的体积相比ArF-1500或者ASML的NXT:1980Di有明显缩减,但公开图像的角度过于单一,且缺乏近距离细节,特别是核心光学镜组、工件台运动系统和实时调平反馈等关键部件的清晰视图,所以无法单从外观锁定其类型,不过,ArF是典型的DUV光源……”

奥观海烦躁地挥了挥手,像是要驱散眼前恼人的烟雾:

“算了,我不想听这些技术细节……汤姆,我只想知道,他们到底是怎么做到的?”

“去年,就在去年!我们的专家团还信誓旦旦地向我保证,华夏在EUV技术路线上至少落后十年,在DUV上即便能推进到7nm,良率也绝对达不到经济量产的水平!现在呢?第二条产线都要建了!”

他的声音不由自主地拔高,带着压抑不住的怒火和挫败感。

多尼伦感受到了总统的怒火,赶紧跳到重点:“根据我们目前掌握的情报线索和初步研判,基本可以排除ASML或者其核心供应商直接向华夏转让EUV核心技术的可能性,泄密的链条和规模都无法支撑如此快速的产业化落地。”

他翻开报告,指向其中一段加粗的结论:

“技术顾问组认为,最大的可能性在于,华夏方面在DUV多重曝光路线的关键环节取得了突破性进展,例如ALD技术可以在原子尺度精确控制薄膜沉积的厚度和均匀性,这对于多重曝光中作为间隔层或硬掩模的材料至关重要,再结合超高精度的刻蚀技术,有可能将多重曝光的负面效应降到可以接受的程度。”

“多重曝光?”奥观海对这个词有些印象,“我记得……之前也有人提过这种技术路线,但结论是代价高昂,良率无法保证?”

“是的,阁下,这是先天原理所决定的。”多尼伦点点头,随后又补充道,“而且,这种基于DUV多重曝光的技术路径存在天然的天花板,随着制程进一步微缩,比如向等效5纳米或更先进节点迈进,图形拆分将变得极其复

…。。
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