程和YO纳米掺杂协同优化NbSn薄膜的问题。
添加BdG方程建模和耦合强度量化，独立建模拓扑态与超导的耦合，量化界面参数，最后再修正他曾经做的钉扎力模型。将拓扑界面贡献和YO贡献( F_{ext{YO}})叠加。
资金有限，必须要大幅降低试错成本，而最好的办法，当然是先通过数学进行模拟，确保拓扑超导界面与YO纳米掺杂技术的协同效应最大化。
和先前一样，通过实验-迭代，最后确保预测精度，锁定最佳工艺参数。
写了半小时，许青舟又掏出手机，给卡森发去需要添加的设备，让他早些去申请，找人安装。
在人工这一块，国外的效率一向都很感人。
得提前把设备搞定，这样才能保证方案出来，能够立刻动手实验。
暂时需要一台配备Bi、Se、Nb源的分子束外延，Riber 32P。再来一台FEI Helios 600i的聚焦离子束。
把实验计划的框架写出来，他也没再继续，时间一到中午，熬夜后劲儿上来了，身体轻飘飘的。
许青舟嫌麻烦，干脆随便煮碗面盖上剩菜，嗦完，直接回卧室睡觉。
睡之前，还特意摆拍了张照片，给宋瑶汇报自己的情况。